氧化銦錫(ITO)


氧化銦錫(Indium Tin Oxide, ITO)氧化(In2O3)加入氧化(SnO2),常見SnO2的添加比例為5~10 wt%
ITO薄膜具有以下特性:
  1. 電阻係數10-4~10-5Ω-㎝ 
  2. 高可見光穿透率達90%
  3. 可被酸蝕刻圖形化
  4. 化學穩定性
  5. 耐候性佳等特性
因此,ITO是已在產業界上最被廣泛使用的透明導電氧化物(Transparent conducting oxide, TCO)材料,且被廣泛應用於透明加熱元件、抗靜電薄膜、電磁波防護薄膜電子、光學及光電裝罝上。